(3 crédits). Introduction à la technologie des circuits intégrés à très grande éche lle (VLSI). Propriétés électriques des transistors NMOS et CMOS. Conception d'un sous-système NMOS et disposition des composantes. Conception de sous-systèmes et disposition des composantes en utilisant des circuits logiques CMOS statiques simples et complexes ainsi que dynamiques. Conception de réseaux logiques programmables et de machines à états finis NMOS et CMOS. Conception de sous-systèmes utilisant la technologie BiCMOS, la technologie GaAs, les réseaux logiques et les réseaux logiques programmables par l'utilisateur (FPGA). Volet : Laboratoire, Cours magistral, Tutoriel Préalable : ELG 2536.
(3 crédits). Introduction à la technologie des circuits intégrés à très grande éche lle (VLSI). Propriétés électriques des transistors NMOS et CMOS. Conception d'un sous-système NMOS et disposition des composantes. Conception de sous-systèmes et disposition des composantes en utilisant des circuits logiques CMOS statiques simples et complexes ainsi que dynamiques. Conception de réseaux logiques programmables et de machines à états finis NMOS et CMOS. Conception de sous-systèmes utilisant la technologie BiCMOS, la technologie GaAs, les réseaux logiques et les réseaux logiques programmables par l'utilisateur (FPGA). Volet : Laboratoire, Cours magistral, Tutoriel Préalable : ELG 2536.